纯度：4N

成分 : In:Ga:Zn:O=1:1:1:4 (原子比)（其他成分可定制）

密度:≥6.30g/cm³

尺寸：根据客户需求定制

       产品技术优势

       高纯度：

       5N级别原料，粉体微反应器共沉淀法制备，粉体纯度保证在5N以上.

       成型无钢制模具等金属接触，产品纯度有效保证在99.995%以上；

       大尺寸：

       已生产国内最长1550mm靶材，并可继续放大至1800mm以上，优化减少高世代线的拼接缝隙；

       可制备OLED世代线用超宽加厚靶材，打破日韩在OLED产线大尺寸靶材的垄断。 晶粒均一，性能稳定：

       粉体颗粒均匀，微反应器共沉淀法氧化锡完全固溶；树脂注浆低压成型，无应力，无孔洞缺陷，靶材晶粒组织均一，磁控溅射过程更为稳定；