ITO平面靶材
纯度:4N5(≥99.995%)
致密度:≥99.7%
电阻率:<0.15mΩ.cm
尺寸:注浆成型工艺可制备大尺寸靶材,根据客户需求可优化拼接方式,减少拼接缝隙
晶粒:平均截距6µm左右,微观组织均匀
产品技术优势
高纯度:
5N级别原料,粉体微反应器共沉淀法制备,粉体纯度保证在5N以上.
成型无钢制模具等金属接触,产品纯度有效保证在99.995%以上;
大尺寸:
已生产国内最长1550mm靶材,并可继续放大至1800mm以上,优化减少高世代线的拼接缝隙;
可制备OLED世代线用超宽加厚靶材,打破日韩在OLED产线大尺寸靶材的垄断。 晶粒均一,性能稳定:
粉体颗粒均匀,微反应器共沉淀法氧化锡完全固溶;树脂注浆低压成型,无应力,无孔洞缺陷,靶材晶粒组织均一,磁控溅射过程更为稳定;
